Предмет: Электроника. Добавлен: 19.10.2023. Год: 2020. Страниц: 15. Оригинальность по antiplagiat.ru: 83% |
|
Введение 3 1 Понятие и основные параметры IGBT-транзисторов 4 2 Устройство и сфера применения 8 Заключение 14 Список использованных источников 16 В современной силовой электронике широкое распространение получили так называемые транзисторы IGBT. Данная аббревиатура заимствована из зарубежной терминологии и расшифровывается как Insulated Gate Bipolar Transistor, а на русский манер звучит как биполярный транзистор с изолированным затвором. Поэтому IGBT транзисторы ещё называют БТИЗ. БТИЗ представляет собой электронный силовой прибор, который используется в качестве мощного электронного ключа, устанавливаемого в импульсные источники питания, инверторы, а также системы управления электроприводами. Целью данной работы является анализ назначения и устройства IGBT-транзистора. Для достижения поставленной цели необходимо решить следующие задачи: ? рассмотреть понятие и основные параметры IGBT-транзисторов; ? проанализировать устройство и сферу применения IGBT-транзисторов. Объектом работы выступает IGBT-транзистор. Предметом - его устройство и область применения. Теоретической базой написания работы послужили труды таких авторов, как Ю.К. Розанов, А. Бормотов, А.Ю. Болдырев и др., а также источники сети Интернет. В работе использовались методы теоретического анализа литературы по исследуемой проблеме, методы изучения, обобщения и анализа. Структура работы состоит из введения, двух глав, заключения и списка использованных источников. 1 Понятие и основные параметры IGBT-транзисторов Исторически биполярные транзисторы использовались наравне с тиристорами в качестве силовых электронных ключей до 90-х годов. Но недостатки биполярных транзисторов были всегда очевидны: большой ток базы, медленное запирание и от этого перегрев кристалла, сильная зависимость основных параметров от температуры, ограниченное напряжение насыщения коллектор-эмиттер ... 1. Биполярные транзисторы с изолированным затвором IGBT [Электронный ресурс]. – URL: publ/spravochniki/bip ljarnye_tranzistory_ _izolirovannym_zatvor m_igbt/2-1-0-306 (дата обращения: 25.11.2019). 2. Болдырев А.Ю. Рекомендации по применению IGBT производства Протон-электротекс / А.Ю. Болдырев. – 2017. – 24 с. 3. Бормотов А. Некоторые вопросы эксплуатации IGBT-модулей / А. Бормотов, В. Мартыненко // Компоненты и технологии. – 2015. – №5. – С. 116-120. 4. Розанов, Ю. К. Силовая электроника: учебник и практикум для академического бакалавриата / Ю. К. Розанов, М. Г. Лепанов; под редакцией Ю. К. Розанова. – М.: Издательство Юрайт, 2019. – 206 с. 5. Транзисторы IGBT – основные компоненты современной силовой электроники [Электронный ресурс]. – URL: main/praktika/1589-ig t-tranzistory-osnovn e-komponenty-silovoy elektroniki.html (дата обращения: 25.11.2019). 6. Энциклопедия устройств на полевых транзисторах / В. П. Дьяконов, А. А. Максимчук, А.М. Ремнев, В.Ю. Смердов. – М.: СОЛОН-ПРЕСС, 2017. – 513 c. |
|
Перейти к полному тексту работы |