Предмет: Электроника. Добавлен: 14.12.2021. Год: 2021. Страниц: 5. Оригинальность по antiplagiat.ru: < 30% |
|
Федеральное агентство связи Ордена Трудового Красного Знамени федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Московский технический университет связи и информатики» Кафедра электроники ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА №2 ИССЛЕДОВАНИЕ МЕТАЛЛО-ПОЛУПРОВОДНИК ВЫХ ПЕРЕХОДОВ Вариант 7 Выполнил: студент гр. БИН2001 Целью работы является исследование металло-полупроводник вых переходов при использовании различных сочетаний металла и полупроводника. Металло-полупроводник вые переходы при qjм < qjп В настоящей работе металло-полупроводник вый переход полагается идеальным, описывающимся уравнением jк0 = jm – jп Если контакт омический, т.е. предназначен для подключения к полупроводниковой области, его наиболее важным параметром является сопротивление R. У такого контакта сопротивление практически не зависит от сопротивления m-области и обогащенного слоя. Поэтому R омического контакта определяется размерами и параметрами нейтральной части полупроводника: L R = –––, mqSN где L и S – толщина и площадь поперечного сечения нейтрального слоя, m и N – коэффициент подвижности и концентрация примеси в полупроводниковой области. В случае контакта Шотки, когда используются его нелинейные свойства, важнейшими параметрами являются: 1. Контактная разность потенциалов в отсутствие внешнего напряжения jк0, (1). Её величина примерно соответствует значению прямого напряжения Uпр, при котором собственное поле перехода и обедненный слой практически исчезают и возникает большой прямой ток. Uпр определяет тепловые потери Pрасс = Uпр ? Iпр и к.п.д. выпрямителей с диодами Шотки. По этим параметрам они значительно превосходят кремниевые р-n диоды. 2. Тепловой ток I0, определяющий масштаб идеализированной ВАХ: I = I0(eU/jT – 1) , (3) I0 = S?A?T2?e-jk0/jT , (4) где А – константа, зависящая от типа полупроводника, Т – абсолютная температура, jT = kT/q – термический потенциал... Было выявлено: уменьшение сопротивления R при увеличении концентрации примеси N, площади поперечного сечения S и уменьшении толщины п/п слоя L; увеличение толщины перехода L0 при уменьшении концентрации примеси N; уменьшение барьерной ёмкости Cб0 при уменьшении концентрации примеси N и площади поперечного сечения S. |
|
Перейти к полному тексту работы |