Предмет: Электроника. Добавлен: 14.12.2021. Год: 2021. Страниц: 4. Оригинальность по antiplagiat.ru: < 30% |
Министерство цифрового развития связи и массовых коммуникаций Российской Федерации. Ордена Трудового Красного Знамени федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский технический университет связи и информатики" Кафедра электроники Отчет по лабораторной работе № 5 “ИССЛЕДОВАНИЕ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА” по дисциплине "Электроника" Вариант № 5 Выполнил: студент гр. БИН2001 Москва, 2021 г. Цель работы Ознакомление с физическими принципами функционирования биполярного транзистора (БТ), с особенностями его изготовления и взаимосвязью конструкции, размеров и параметров. Ход работы Рисунок 1 - биполярный транзистор ?=I_Эn/(I_Эn+I_Эp )=N_Э/(N_Э+N_Б ), где IЭn – полезный ток инжекции; IЭр – бесполезный встречный дырочный ток; NЭ и NБ – концентрация примесей в базе и эмиттере; ? - коэффициент инжекции. ?=I_К/I_Эn , Где Iк – ток выхода, ? - коэффициент переноса ???=I_Эn/I_Э I_К/I_Эn =I_К/I_Э =? ? =?/(1-?), где ? - коэффициент передачи тока ОБ, ? - коэффициент передачи тока ОЭ f_??1/(2??_ПР ), ?_ПР=w^2/(2D_Б (?+1)), Где w – толщина базы, ?ПР – среднее врем пролёта, f? - предельная частота в схеме ОБ, ? - коэффициент неоднородности базы, DБ – коэффициент диффузии в базе Таблица 1 - Исходные данные №. вар. Концентрация примесей в эмиттере NЭ, см-3 Концентрация примесей в базе NБ, см-3 Толщина базы, w, мкм Коэффициент неоднородности базы, ? 5 5·1019 5·1017 0,4 ,75 Таблица 2 - Результаты Вариант Измененный параметр Коэф. инжекции ? Коэф. переноса Коэф. передачи тока ОБ, ? Коэф. передачи тока ОЭ, ? Среднее время пролёта ?ПР, нс Предельная частота в схеме ОБ ,МГцИсходный (табл. 1) - 0,99973 0,97173 0 97147 34,06 80,8 1, 9695 Однородная база ? = 0 (диффузион-ный БТ) ?=1,75 > ?=0 0,99903 0,92593 0, 2503 12,35 222,2 0,716 Повышенная концентрация примесей в эмиттере NЭ, см-3 Nэ=5·1019 > Nэ=5·1020 0,9997 0,971 3 0,9717 34,34 80,8 ,9695 Повышенная концентрация примесей в базе NБ ,см-3 NБ=5·1017 > NБ=5·1019 0,97401 0, 7173 0,94647 17,9297 80,8 1,9695 Увеличенная толщина базы w, мкм w=0,4 > w=0,6 0,99959 0,93856 ,93819 15,184 181,81 0,8753 Вывод: При однородной базе (? = 0) в разы уменьшается коэффициент передачи тока ОЭ ? и предельная частота в схеме ОБ ?; увеличивается среднее время пролёта ?ПР,; коэффициент инжекции ?, коэффициент переноса , коэффициент передачи тока ОБ уменьшаются. При повышенной концентрации примесей в эмиттере Nэ увеличивается коэффициент передачи тока ОЭ ?, коэффициент передачи тока ОБ ? и коэффициент инжекции ?; остальные параметры остаются без изменений... |
Перейти к полному тексту работы |