• Главная
  • Скачать
  • Лабораторка ИССЛЕДОВАНИЕ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА Вариант № 5


    Предмет: Электроника. Добавлен: 14.12.2021. Год: 2021. Страниц: 4. Оригинальность по antiplagiat.ru: < 30%

    Министерство цифрового развития связи и массовых коммуникаций Российской Федерации.
    Ордена Трудового Красного Знамени федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования
    "Московский технический университет связи и информатики"

    Кафедра электроники


    Отчет по лабораторной работе № 5
    “ИССЛЕДОВАНИЕ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА”
    по дисциплине
    "Электроника"

    Вариант № 5


    Выполнил: студент гр. БИН2001


    Москва, 2021 г.
    Цель работы
    Ознакомление с физическими принципами функционирования биполярного транзистора (БТ), с особенностями его изготовления и взаимосвязью конструкции, размеров и параметров.


    Ход работы

    Рисунок 1 - биполярный транзистор
    ?=I_Эn/(I_Эn+I_Эp )=N_Э/(N_Э+N_Б ),
    где IЭn – полезный ток инжекции; IЭр – бесполезный встречный дырочный ток; NЭ и NБ – концентрация примесей в базе и эмиттере; ? - коэффициент инжекции.
    ?=I_К/I_Эn ,
    Где Iк – ток выхода, ? - коэффициент переноса
    ???=I_Эn/I_Э I_К/I_Эn =I_К/I_Э =?
    ? =?/(1-?),
    где ? - коэффициент передачи тока ОБ, ? - коэффициент передачи тока ОЭ
    f_??1/(2??_ПР ), ?_ПР=w^2/(2D_Б (?+1)),
    Где w – толщина базы, ?ПР – среднее врем пролёта, f? - предельная частота в схеме ОБ, ? - коэффициент неоднородности базы, DБ – коэффициент диффузии в базе

    Таблица 1 - Исходные данные
    №. вар. Концентрация примесей в эмиттере NЭ, см-3 Концентрация примесей в базе
    NБ, см-3 Толщина базы, w, мкм Коэффициент неоднородности базы, ?
    5 5·1019 5·1017 0,4 ,75


    Таблица 2 - Результаты
    Вариант Измененный параметр Коэф. инжекции
    ? Коэф. переноса

    Коэф. передачи тока ОБ,
    ? Коэф. передачи тока ОЭ, ? Среднее время пролёта ?ПР, нс Предельная частота в схеме ОБ
    ,МГцИсходный (табл. 1) - 0,99973 0,97173 0 97147 34,06 80,8 1, 9695
    Однородная база ? = 0 (диффузион-ный БТ) ?=1,75 > ?=0 0,99903 0,92593 0, 2503 12,35 222,2 0,716
    Повышенная концентрация примесей в эмиттере NЭ, см-3 Nэ=5·1019 > Nэ=5·1020 0,9997 0,971 3 0,9717 34,34 80,8 ,9695
    Повышенная концентрация примесей в базе NБ ,см-3 NБ=5·1017 > NБ=5·1019 0,97401 0, 7173 0,94647 17,9297 80,8 1,9695
    Увеличенная толщина базы w, мкм w=0,4 > w=0,6 0,99959 0,93856 ,93819 15,184 181,81 0,8753

    Вывод:
    При однородной базе (? = 0) в разы уменьшается коэффициент передачи тока ОЭ ? и предельная частота в схеме ОБ ?; увеличивается среднее время пролёта ?ПР,; коэффициент инжекции ?, коэффициент переноса , коэффициент передачи тока ОБ уменьшаются.

    При повышенной концентрации примесей в эмиттере Nэ увеличивается коэффициент передачи тока ОЭ ?, коэффициент передачи тока ОБ ? и коэффициент инжекции ?; остальные параметры остаются без изменений...
    Перейти к полному тексту работы