• Главная
  • Скачать
  • Курсовик Курсовой проект по дисциплине: Расчёт электронных схем. Расчёт однокаскадных усилителей.


    Предмет: Схемотехника. Добавлен: 25.10.2013. Год: 2009. Страниц: 47. Оригинальность по antiplagiat.ru: < 30%

    Министерство образования и науки Российской Федерации.

    Федеральное агентство по образованию.

    Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования.
    Магнитогорский государственный технический университет им. Г.И.Носова.


    Факультет Автоматики и вычислительной техники.

    Кафедра электроники и микроэлектроники.

    Курсовой проект по дисциплине:
    “Расчёт электронных схем”.

    ”Расчёт однокаскадных усилителей ”.


    Выполнил :
    Ошкин Н.В.


    Проверил :
    Лёкин А.Н.


    Магнитогорск
    2009 г.

    Оглавление:
    1 Задание № 1: Графоаналитический расчёт усилителя переменного тока.
    Стр. 3
    2 Задание №2:Аналитический расчёт элементов схемы усилителя переменного тока с общим эмиттером.
    Стр. 11
    3 Задание №3:Анализ переходной и передаточной характеристик активного фильтра второго порядка.
    Стр. 41
    Литература.
    Стр. 47
    Задание 1.
    Графоаналитический расчёт усилителя переменного тока.
    Цель работы : расчёт режима покоя и динамического режима путём графоаналити- ческих построений на ВАХ транзистора.
    Порядок работы
    1. Согласно варианту, предложенному преподавателем, взять требуемые параметры:
    - обозначение базовой схемы усилителя А, Б, В или Г;
    - тип транзистора;
    - класс усиления А, АВ, В или С;
    - угол проводящего состояния транзистора ;
    - сопротивление нагрузки Rн;
    - напряжение источника питания Eп;
    - выходное сопротивление усилителя на средних частотах rвых;
    - амплитуду синусоидального входного сигнала Eвхmax;
    - частоту входного сигнала ;
    - внутреннее сопротивление генератора .
    2. Вольтамперные характеристики транзистора и необходимые параметры взять из справочного пособия:
    Селиванов И.А., Карандаев А. С. и др. Параметры и характеристики биполярных транзисторов. Магнитогорск, 1996г.;

    3. На принципиальной схеме усилителя обозначить положительные направления токов и напряжений с учетом разделения их на переменные и постоянные составляющие. Номинальные сопротивления резисторов следует брать из ряда Е24;

    4. Нарисовать схему замещения для переменного тока и обозначить на ней положительные направления токов и напряжений. Транзистор схемой замещения заменять не нужно;

    5. Выбрать положение рабочей точки, напряжение источника ЭДС (если оно не задано) и сопротивления резисторов так, чтобы обеспечить требуемый класс усиления и тепловой режим транзистора;

    6. Рассчитать емкости конденсаторов так, чтобы на рабочей частоте их сопротивлениями можно было пренебречь. Рассчитать номинальное напряжение конденсаторов. Емкости конденсаторов должны быть из стандартного ряда;

    7. Графоаналитически на миллиметровой бумаге построить осциллограммы , , , , , , . Указать на графиках угол ;

    8. По осциллограммам рассчитать коэффициенты усиления по напряжению, по току и по мощности;

    9. Оценить мощность, рассеиваемую на резисторах с учетом протекания постоянной и переменной составляющих. Выбрать их номинальную мощность из стандартного ряда;
    10. Определить напряжения искажений типа «насыщение» и «отсечка»;

    11. Составить перечень элементов на усилитель согласно правилам ЕСКД;
    12. Для защиты курсового проекта приготовить плакат формата А1, на котором следует разместить принципиальную схему и графоаналитические построения осциллограмм, оформить угловой штамп;
    12. Все действия по пунктам 2?10 следует словесно пояснять в тексте курсового проекта. Сделать вывод о возможностях и целесообразности применения метода.
    Задание заключается в том ,что по известным вольт-амперным характеристикам транзистора и параметрам усилителя (схема усилителя , класс усиления ,тип транзистора, сопротивление нагрузки и т.д.) нужно определить неизвестные параметры усилителя и построить осциллограммы Uвх(t) ,iб(t) ,iвх(t) ,iк(t), Uэк(t), Uвых(t) , iвых(t).
    С начала определим место рабочей точки в режиме покоя и сопротивления резисторов, используя схему замещения на постоянном токе, а затем с помощью схемы замещения на переменном токе построим осциллограммы iвх(t),Uвых(t), iвых(t) .Осциллограммы Uвх(t) ,iб(t) ,iк(t) ,Uвых(t) построим используя входные и выходные характеристики.
    Согласно варианту для расчётов будем использовать усилитель на базе схемы Г (класс усиления АВ).


    b - коэффициент передачи тока ( берется из справочника ).



    Для того, чтобы провести расчет динамического режима, необходимо преобразовать принципиальную схему усилителя .Заменим источник постоянного напряжения и конденсаторы С1,С2 (сопротивления конденсаторов выбирается таким образом ,чтобы их сопротивления на рабочей частоте были близки к 0 ) короткозамкнутой перемычкой.



    Учитывая класс усиления и значение Евхmax , определим местоположение рабочей точки на входных характеристиках .Зная коэффициент передачи по току b и DIб , найдём место рабочей точки на выходных характеристиках . Получаем:


    Строим нагрузочную прямую Iк=(Eп-Uэк)/(Rк+Rэ). а нагрузочной прямой возьмём две точки , составим систему уравнений и найдём значения сопротивлений Rк и Rэ.


    Найдём сопротивления R1 и R2. Возьмём два контура Еп-R1-R2-Еп , Uэбрт-R2-Rэ-Uэбрт и решим составленную систему из двух уравнениё по второму закону Кирхгофа. Будем считать для упрощения расчётов Iд=10*Iб.



    Определим выражения для осциллограмм токов и напряжений с помощью схемы замещения на переменном токе (рис.2) :


    равно ег(t) ,так как они измеряются на тех же узлах.


    График строим используя входную характеристику .Он получается несинусоидальный из-за нелинейных искажений.


    График строим используя динамическую линию нагрузки .С её помощью мы учитываем влияние нагрузки.


    Для нахождения тока через резистор R12 поделим входное напряжение на сопротивление R12 :


    По первому закону Кирхгофа входной ток равен сумме токов и iR12 .


    равно , так как они определяются в параллельных ветвях .


    Выходной ток протекает по нагрузке и равен отношению выходного напряжения к сопротивлению нагрузки .

    При помощи полученных осциллограмм рассчитаем значения Ku ,Ki ,Kp. Для этого возьмём меньшие по модулю амплитуды , чтобы получить гарантированные коэффициенты усиления.


    Рассчитаем емкости конденсаторов ,таким образом чтобы их сопротивлениями на рабочей частоте можно было пренебречь. Для этого возьмем сопротивление конденсатора С1 в 20 раз меньшим , чем Rвх,С2=(Rн+Rвых)/20 , Сэ=Rэ/20. Rвых и Rвх найдём, взяв амплитуды осциллограмм Uвых, Iвых, Uвх, Iвх.


    Рассчитаем номинальные напряжения конденсаторов ,учитывая переменные и постоянные составляющие напряжений .Так как у переменных составляющих амплитуды полуволн разные, находим напряжения для каждой полуволны отдельно.



    Определим мощность рассеиваемую на резисторах Rк , Rэ , Rн, R1, R2 с учетом постоянной и переменной составляющих; для каждой полуволны переменной составляющей мощность находится отдельно.



    Определим напряжения искажений типа "насыщения" и "отсечка".
    Конденсаторы заменяем на источники постоянного напряжения , так как напряжение на них с течением времени почти не изменяется.
    В режиме насыщения коллекторный и эмиттерный переходы открыты, поэтому можно считать сопротивление транзистора равным 0, а транзистор заменить короткозамкнутой перемычкой.
    В режиме отсечки коллекторный и эмиттерный переходы закрыты ,поэтому можно считать сопротивление транзистора равным бесконечности и транзистор заменить разрывом цепи.
    Составим систему уравнений для двух режимов и решим её относительно напряжения насыщения (Uнас) и напряжения отсечки (Uотс).


    Для данного усилителя требуется резисторы ,с соответствующими мощностями :



    конденсаторы, выдерживающие напряжения:


    В данном задании мы использовали графоаналитический метод решения. Графоаналитический метод расчёта не требует сложного математического аппарата - это позволяет быстро производить расчёт ; у данного метода достаточная для практики точность - даёт возможность оценить значения параметров усилителя и вид осциллограмм токов и напряжений; удобен для работы с экспериментальными данными - можно легко определить изменения параметров по графикам. На этом положительные стороны метода заканчиваются. К отрицательным сторонам можно отнести следующие : решение имеет численный вид - нельзя проследить функциональную зависимость между параметрами цепи и видом осциллограмм токов и напряжений; не дает возможности учесть влияние реактивных элементов; нельзя исследовать переходные процессы; при незначительном усложнении схемы увеличивается объём вычислений. Из выше сказанного следует, что графоаналитический метод расчёта можно применять только для приближенных расчётов , где не требуется большая точность. Например: расчет точек покоя.


    Задание 2.
    Аналитический расчёт элементов схемы усилителя переменного тока с общим эмиттером.
    Цель работы: расчёт режима покоя и динамического режима с использованием схем замещения.
    Порядок работы
    1. Согласно варианту, предложенному преподавателем, из таблицы 2 выписать желаемые параметры усилителя (рис.2.1), параметры генератора и нагрузки;

    Рис.2.1.

    2. Вольтамперные характеристики транзистора и необходимые параметры следует взять из справочного пособия:
    Селиванов И.А., Карандаев А. С. и др. Параметры и характеристики биполярных транзисторов. Магнитогорск, 1996г.;

    3. На принципиальной схеме усилителя обозначить положительные направления токов и напряжений с учетом разделения их на переменные и постоянные составляющие;

    4. Выбрать положение рабочей точки, напряжение источника ЭДС (если оно не задано) и рассчитать сопротивления резисторов так, чтобы обеспечить требуемые параметры усиления и тепловой режим транзистора. Номинальные сопротивления резисторов следует брать из ряда Е96;

    5. Рассчитать мощность, рассеиваемую на резисторах с учетом протекания постоянной и переменной составляющих. Выбрать их номинальную мощность из стандартного ряда;

    6. Определить напряжения искажений типа «насыщение» и «отсечка»;

    7. Рассчитать емкости конденсаторов так, чтобы на рабочей частоте их сопротивлениями можно было пренебречь. Рассчитать номинальное напряжение конденсаторов. Емкости конденсаторов должны быть из стандартного ряда;

    8. Построить ЛАЧХ и ЛФЧХ для , , , ;
    9. Исследовать влияние параметра, заданного в графе «параметр1» на величины , , , , в диапазоне средних частот. Построить графики этих величин в зависимости от заданного параметра, изменяя его в широких, но разумных пределах;

    9. Исследовать влияние параметра, заданного в графе «параметр2» на ЛАЧХ и ЛФЧХ , , , , варьируя его в широких, но разумных пределах. Для этого нужно построить в одной системе координат ЛАЧХ и ЛФЧХ этих величин, при 4…5 значениях заданного параметра;

    10. Составить перечень элементов на усилитель согласно правилам ЕСКД;

    11. Для защиты курсового проекта приготовить плакат формата А1, на котором следует разместить принципиальную схему, ЛАЧХ и ЛФЧХ для и оформить угловой штамп;
    12. Все действия по пунктам 2?9 следует словесно пояснять в тексте курсового проекта. Сделайте вывод о возможностях и целесообразности применения метода.

    В данной работе будем использовать метод наложения. Этот метод заклюю-чается в том , что воздействие всех источников равно сумме воздействий от каждого источника в отдельности.
    1. Принципиальную схему усилителя преобразуем с помощью замены тран-зистора линейной моделью. В эмиттерную и базовую ветви добавляем rэ,rб соответственно ;в коллекторную цепь добавляем управляемый источник тока (ток источника управляется током базы), параллельно к нему подклю-чаются rк -сопротивление коллекторного р-n перехода в закрытом состоянии и Ск - ёмкость коллекторного р-n перехода.
    2. Определим сопротивление rб графоаналитическим методом, используя входные характеристики транзистора. Сопротивление Rк при предваритель- ном расчёте будем считать равным rвых , так как выходное сопротивление равно параллельному соединению Rк и rк, а сопротивление rк много больше сопротивления Rк.
    3. Произведем приближённый расчет значения (Rэ1+rэ) на рабочей частоте. Будем считать значение rк достаточно большим и поэтому заменим его раз-рывом цепи. Для этого заменим конденсаторы разделительные С1, С2 и шунтирующий Сэ короткозамкнутой перемычкой, а конденсаторы Сн и Ск разрывом. Такие преобразования правомерны , так как ёмкость конденса-торов выбирается таким образом , чтобы на рабочей частоте сопротивления конденсаторов С1, С2, Сэ было очень маленьким по сравнению с последо-вательно соединёнными сопротивлениями и на них падение напряжения бы-ли минимальны , а значит и выделяемая мощность на конденсаторах стре-милась к нулю. Ёмкость конденсатора Ск зависит от технологии изготовле-ния транзистора и ограничивает рабочую частоту транзистора. Значение ёмкости конденсатора Сн выбирают так, чтобы ток на высоких частотах ток не попадал в нагрузку.
    4. Выберем положение рабочей точки на входных характеристиках транзис-тора , чтобы сопротивление Rэ1 было на несколько порядков больше rэ, которое рассчитывается графоаналитическим методом . Выполнение данно-го условие позволит не учитывать rэ при расчётах на постоянном токе .
    5. Определим значение источника постоянного напряжения , чтобы исклю-чить искажения типа "насыщение" , "отсечка". Конденсаторы на постоянном токе ведут себя как идеальные источники напряжения - напряжение почти не изменяется (напряжение уменьшается за счёт токов утечки , но они доста-точно малы , чтобы их учитывать). Поэтому конденсаторы С2, Сэ заменим источниками постоянного напряжения Ес2, Есэ. Используя схемы замещения при режимах насыщения, отсечки и холостом ходе на выходе усилителя, составим и решим систему из трёх уравнений относительно Еп, Ес2 , Есэ.
    6. Построим нагрузочную прямую, найдём координаты рабочей точки на выходных характеристиках и рассчитаем значение rк графоаналитическим методом в районе местоположения рабочей точки.
    7. Определим значения сопротивлений R1, R2. Для этого возьмём схему замещения на постоянном токе.
    8. Повторим пункт №3 ,но расчёт будем производить по уточнённым формулам
    9. Рассчитаем мощность, рассеиваемую на резисторах с учётом переменной и постоянной составляющих.Чтобы найти общую мощность, нужно сложить мощности от двух составляющих.Найдём значения ёмкостей конденсаторов так, чтобы их сопротивлениями на рабочей частоте можно было бы пренебречь.
    10. Построим логарифмическую амплитудно-частотную и логарифмическую фазо-частотную характеристики (ЛАЧХ и ЛФЧХ) для коэффициентов пере-дачи по току и напряжению , входного и выходного сопротивления. Прове-дём исследование влияния двух параметров на ЛАЧХ и ЛФЧХ. Влияние "па-раметра 1" (rэ) будем производить на средних частотах, а влияние "парамет-ра 2" (С2) производить на всех частотах.
    Согласно варианту нам даны следующие желаемые параметры усилителя :



    Найдём значения rб.


    Найдем rэ+Rэ1 используя формулу коэффициента усиления напряжения (Ku) и схему замещения на переменном токе (рис3).


    Так как нам дан коэффициента усиления тока (Ki) ,сначала найдём значение Ku.


    Теперь найдём формулы для входного и выходного напряжений , а используя их – Ku.


    Rнк - сопротивление параллельно включенных сопротивлений Rк и Rн.



    Выразим из формулы Ku .


    Выберем рабочую точку так ,чтобы выполнялось неравенство rэ‹‹ Rэ1 и найдём Rэ1.


    Возьмем суммарное сопротивление эмиттерной ветви Rэs=Rэ1+Rэ2 равное 0,2*Rк.


    Найдём значение источника постоянного напряжения Eп.


    В режиме насыщения в ветвь эмиттера добавляем источник E=13,8 В , используем для расчета метод узловых потенциалов f0=0.Uнас - напряжение на нагрузке , когда транзистор работает в режиме насыщения (коллекторный и эмиттерный переход открыты - транзистор заменяем короткозамкнутой перемычкой).




    В режиме отсечки транзистор закрыт и его сопротивление велико , поэтому транзи-стор можно заменить разрывом. Возьмём контур Rк-Ec2-Rн-Eп-Rк, Uотс – напряже-ние на нагрузке ,когда транзистор работает в режиме отсечки.



    Третье уравнение найдем используя режим холостого хода (нагрузка отключается) .


    На выходе получим:


    Составим систему уравнений из трёх полученных уравнений.


    Решим полученную систему с помощью матриц :



    Возьмем Eп=15 и построим статическую линию нагрузки Iк=(Eп-Uкэ)/(Rк+Rэs) и линию ограничения мощности Pmax=Uкэ*Iк .
    На входных характеристиках находим Iбрт,Uбэрт,Iкрт,Uкэр .


    Графически находим r*к.


    Определим R12, зная rвх, rб, rэ, Rэ1 : rвх=R12II( ).



    Используя схему замещения на постоянном токе (рис.7) определим R1 , R2.



    Составим и решим систему уравнений:


    Найдем точное значение Rк. Воспользуемся теоремой о замещении источника тока эквивалентным источником напряжения. Для нахождения rвых составим и решим систему уравнений по второму закону Кирхгофа взяв два контура 6-7-3-4-6 и 7-6-5-7.


    - коэффициент обратной связи.


    Пересчитаем значения сопротивлений Rэ1,Rэ2 по уточненным формулам :
    gк -коэффициент токораспределения коллекторной цепи, находится как отношение R/(R+R") , где R=rк, R"=R78.


    Рассчитаем мощность рассеиваемую на резисторах.
    Сначала найдём амплитуды переменных составляющих токов используя схему замещения по переменному току (рис.3) :



    Мощность рассеиваемая на резисторах равна мощности обусловленной переменной и постоянной составляющими. Для переменной составляющей берем амплитуды токов , чтобы получить максимальное значение мощности.


    Выберем мощности выделяемые на резисторах из стандартного ряда :


    Найдем емкости конденсаторов, учитывая , что сопротивление конденсаторов на рабочей частоте должно быть много меньше , чем сопротивление последовательно соединенных с конденсатором резисторов.


    Определим значения напряжений на конденсаторах с учётом постоянных и перемен-ных составляющих.



    Построение ЛАЧХ и ЛФЧХ.
    Дано:


    Построение ЛАЧХ для Ku(f).
    Для построения ЛАЧХ Ku(f) рассчитаем емкость коллектора Ск, зададим гранич-ную частоту транзистора и определим зависимость всех сопротивлений от частоты.

    Расчет времени пролета носителей через базу.

    Зависимость коэффициента передачи тока от частоты.


    Расчет емкостных сопротивлений конденсаторов.



    Расчет комплексных аналогов R и R.


    Комплексный коэффициент токораспределения коллекторной цепи.


    Комплексный аналог r56:


    Получение исходной формулы:


    Выведем формулу для Uвых(f).


    Получим выражение для Uвх(f) .Оно будет равно сумме напряжений на конденса-торе С1 и напряжения на зажимах 5,6. Соединение конденсатора С1 и сопротивле-ния R12IIZ56(f) представляет собой делитель напряжения. Подставив выражение для Uc1(f) и U56(f) в Uвх(f), получим выражение для Uвх(f).


    Подставим формулы Uвых(f) и Uвх(f) найдём выражение для Ku(f):



    ЛАЧХ Zвых(f) : используем формулы для средних частот , но в них добавляем сопротивления конденсаторов.


    Исследуем влияние сопротивления rэ и ёмкости С2 на ЛАЧХ и ЛФЧХ Ku(f),
    Ki(f), Zвх(f), Zвых(f). Для этого построим в одной системе координат ЛАЧХ и ЛФЧХ при 4 значениях каждого параметра. Повторяем расчеты сделанные для построения ЛАЧХ и ЛФЧХ , но Ku, Ki, Zвых, Zвх будут зависеть ещё и от сопротивления rэ или ёмкости конденсатора С2.
    Исследование влияния ёмкости конденсатора С2:

    Расчет комплексных аналогов R и R

    Комплексный коэффициент токораспределения коллекторной цепи

    Комплексный аналог r56

    Исходная формула



    Исследование влияния сопротивления rэ на средних частотах:


    Комплексный коэффициент токораспределения коллекторной цепи.


    Комплексный аналог r56

    Аналитический метод расчета более сложный по сравнению с графоаналитическим , но он устраняет главные недостатки графоаналитического метода. В нашем задании мы рассчитывали сначала по приближенным формулам и использовали линейную схему замещения транзистора , поэтому получить точные значения сопротивлений мы не можем . Данный расчёт получается приближенным. Построив логарифмичес-кие амплитудно-частотные и фазо - частотные характеристики , мы смогли исследо-вать влияние параметров усилителя на различные характеристики. В частности мы установили , что сопротивление rэ значительно влияет на коэффициент передачи по напряжению ,а ёмкость конденсатора на коэффициент передачи по току . Надо отметить , что ЛАЧХ и ЛФЧХ несут в себе много информации, зная вид и влияние различных элементов можно , изменяя параметры схемы можно получить желаемые ЛАЧХ и ЛФЧХ, с большой точностью определить частоты среза- это позволит нам снизить влияние каких-либо параметров на передаточные характеристики .

    Задание 3.
    Анализ переходной и передаточной характеристик активного фильтра второго порядка.
    Цель работы : расчёт и графическое представление амплитудно-частотной и фазо-частотной характеристик фильтра и его реакция на единичное возмущение.
    Порядок работы
    1. Согласно варианту, предложенному преподавателем, взять номер схемы фильтра и параметры его элементов из таблицы 3, а схему перерисовать из таблицы 4;
    2. Рассчитать операторную функцию передачи фильтра, его амплитудно-частотную (АЧХ), фазо-частотную (ФЧХ) характеристики. Определить реакцию фильтра uвых(t) на единичное возмущение 1(t);
    3. АЧХ, ФЧХ и uвых(t) представить графически;
    4. Собрать схему в программе MicroCAP 7 и построить в ней АЧХ, ФЧХ и uвых(t);
    5. Совместить в одной системе координат графики АЧХ, ФЧХ и uвых(t), полученные двумя способами и сравнить результаты;
    6. Предложить возможные области применения данного фильтра и сделать выводы по работе.



    Будем использовать метод узловых потенциалов для расчета передаточной характеристики фильтра. Этот метод заключается в том , что потенциал од-ного узла принимают равным 0, затем рассчитываются потенциалы других узлов. Зная потенциалы узлов можно найти напряжения и токи в ветвях . Операционный усилитель заменим управляемым источником напряжения (для простоты будем считать rвх равным бесконечности , а rвых - нулю).
    Построим логарифмические амплитудно-частотной и фазо-частотной характеристики фильтра .
    Найдём аналитическое выражение реакции фильтра на единичное возму-щение 1(t) и представим её в графическом виде. Зная реакцию на единичное возмущение можно легко определить реакцию на любое другое возмущение.
    Составим три уравнения по методу узловых потенциалов и одно уравнение для источника напряжения управляемого напряжением.



    Выразим из первого уравнения f2, подставим f2 и f3 в четвёртое уравнение. Найдём отношение f4 к Евх - Ku(p) .



    Найдем предел для Ku(p) , когда коэффициент усиления операционного усилителя стремится к бесконечности, чтобы определить выражение для максимального Ku(p).


    Используя программу MicroCap7 , построим АЧХ и ФЧХ для Ku(f).


    Как видно из построений АЧХ и ФЧХ Ku(f) полученные двумя способами (анали-тическое выражение и схема собранная в MicroCap7) полностью идентичны, поэтому можно сделать вывод о том , что наше решение правильное.

    Найдем реакцию фильтра на единичное возмущение . Сделаем обратное преобразо-вание Лапласа для Ku с помощью теоремы о вычетах.



    По виду логарифмической амплитудно - частотной характеристики можно сделать вывод ,что данный фильтр - полосной фильтр, дающий максима-льное усиление в диапазоне от 1КГц до 3 КГц , также этот усилитель можно использовать в качестве фазоинвертора , так как он меняет фазу входного сигнала на 180°.
    В данном проекте мы рассмотрели два метода расчёта электронных цепей : графоаналитический и аналитический .Графоаналитический метод не тре-бует сложных вычислений ,но не обладает большой точностью и не даёт возможность исследовать влияние реактивных элементов. Аналитический метод расчёта устраняет недостатки графоаналитического метода , но тре-бует более сложный математический аппарат. Также мы познакомились с двумя видами усилителей : на основе транзисторов и операционных усили-телей. Сложные схемы в настоящем времени стараются выполнять на опе-рационных усилителях ,так как режим по постоянному току делается произ-водителем - это облегчает расчёты, которые требуются только для опреде-ления параметров навесных элементов для обеспечения желаемых пара-метров устройства.

    Литература :
    1. Прянишников В.А. ”Теоретические основы электротехники : курс лекций”.-Спб.: КОРОНА принт , 2000 год.
    2. Селиванов И.А.,Карандаев А.С.и др. “Параметры и характеристики биполярных транзисторов”. Магнитогорск, 1996 год.
    3. Гусев В.Г. ,Гусев Ю.М. “Электроника : учебное пособие для приборостроитель- ных специальностей.”-2-е издание, перераб. и доп. –М.: Высшая школа 1991 год.
    4. Степаненко И.П. “Основы теории транзисторов и транзисторных схем”. Изд. 4-е, перераб. и доп. –М.:Энергия, 1977 год.
    5. Андреев В.А. , Войшвилло Г.В. , Головин О.В. и др. ”Учебное пособие для ВУЗов”. –М.:Радио и связь, 1993 год.
    6. Усатенко С.Т. , Каченюк Т.К. , Терехова М.В. “Выполнение электрических схем по ЕСКД” : справочник. -2-е изд.,перераб. и доп. -.:М: Издательство стандартов, 1992 год.
    Перейти к полному тексту работы