Здесь можно найти учебные материалы, которые помогут вам в написании курсовых работ, дипломов, контрольных работ и рефератов. Так же вы мажете самостоятельно повысить уникальность своей работы для прохождения проверки на плагиат всего за несколько минут.
Предлагаем нашим посетителям воспользоваться бесплатным программным обеспечением «StudentHelp», которое позволит вам всего за несколько минут, выполнить повышение оригинальности любого файла в формате MS Word. После такого повышения оригинальности, ваша работа легко пройдете проверку в системах антиплагиат вуз, antiplagiat.ru, РУКОНТЕКСТ, etxt.ru. Программа «StudentHelp» работает по уникальной технологии так, что на внешний вид, файл с повышенной оригинальностью не отличается от исходного.
Результат поиска
Наименование:
Курсовик Курсовой проект по дисциплине: Расчёт электронных схем. Расчёт однокаскадных усилителей.
Информация:
Тип работы: Курсовик.
Предмет: Схемотехника.
Добавлен: 25.10.2013.
Год: 2009.
Страниц: 47.
Уникальность по antiplagiat.ru: < 30%
Описание (план):
Министерство образования и науки Российской Федерации.
Федеральное агентство по образованию.
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования. Магнитогорский государственный технический университет им. Г.И.Носова.
Факультет Автоматики и вычислительной техники.
Кафедра электроники и микроэлектроники.
Курсовой проект по дисциплине: “Расчёт электронных схем”.
”Расчёт однокаскадных усилителей ”.
Выполнил : Ошкин Н.В.
Проверил : Лёкин А.Н.
Магнитогорск 2009 г.
Оглавление: 1 Задание № 1: Графоаналитический расчёт усилителя переменного тока. Стр. 3 2 Задание №2:Аналитический расчёт элементов схемы усилителя переменного тока с общим эмиттером. Стр. 11 3 Задание №3:Анализ переходной и передаточной характеристик активного фильтра второго порядка. Стр. 41 Литература. Стр. 47 Задание 1. Графоаналитический расчёт усилителя переменного тока. Цель работы : расчёт режима покоя и динамического режима путём графоаналити- ческих построений на ВАХ транзистора. Порядок работы 1. Согласно варианту, предложенному преподавателем, взять требуемые параметры: - обозначение базовой схемы усилителя А, Б, В или Г; - тип транзистора; - класс усиления А, АВ, В или С; - угол проводящего состояния транзистора ; - сопротивление нагрузки Rн; - напряжение источника питания Eп; - выходное сопротивление усилителя на средних частотах rвых; - амплитуду синусоидального входного сигнала Eвхmax; - частоту входного сигнала ; - внутреннее сопротивление генератора . 2. Вольтамперные характеристики транзистора и необходимые параметры взять из справочного пособия: Селиванов И.А., Карандаев А. С. и др. Параметры и характеристики биполярных транзисторов. Магнитогорск, 1996г.;
3. На принципиальной схеме усилителя обозначить положительные направления токов и напряжений с учетом разделения их на переменные и постоянные составляющие. Номинальные сопротивления резисторов следует брать из ряда Е24;
4. Нарисовать схему замещения для переменного тока и обозначить на ней положительные направления токов и напряжений. Транзистор схемой замещения заменять не нужно;
5. Выбрать положение рабочей точки, напряжение источника ЭДС (если оно не задано) и сопротивления резисторов так, чтобы обеспечить требуемый класс усиления и тепловой режим транзистора;
6. Рассчитать емкости конденсаторов так, чтобы на рабочей частоте их сопротивлениями можно было пренебречь. Рассчитать номинальное напряжение конденсаторов. Емкости конденсаторов должны быть из стандартного ряда;
7. Графоаналитически на миллиметровой бумаге построить осциллограммы , , , , , , . Указать на графиках угол ;
8. По осциллограммам рассчитать коэффициенты усиления по напряжению, по току и по мощности;
9. Оценить мощность, рассеиваемую на резисторах с учетом протекания постоянной и переменной составляющих. Выбрать их номинальную мощность из стандартного ряда; 10. Определить напряжения искажений типа «насыщение» и «отсечка»;
11. Составить перечень элементов на усилитель согласно правилам ЕСКД; 12. Для защиты курсового проекта приготовить плакат формата А1, на котором следует разместить принципиальную схему и графоаналитические построения осциллограмм, оформить угловой штамп; 12. Все действия по пунктам 2?10 следует словесно пояснять в тексте курсового проекта. Сделать вывод о возможностях и целесообразности применения метода. Задание заключается в том ,что по известным вольт-амперным характеристикам транзистора и параметрам усилителя (схема усилителя , класс усиления ,тип транзистора, сопротивление нагрузки и т.д.) нужно определить неизвестные параметры усилителя и построить осциллограммы Uвх(t) ,iб(t) ,iвх(t) ,iк(t), Uэк(t), Uвых(t) , iвых(t). С начала определим место рабочей точки в режиме покоя и сопротивления резисторов, используя схему замещения на постоянном токе, а затем с помощью схемы замещения на переменном токе построим осциллограммы iвх(t),Uвых(t), iвых(t) .Осциллограммы Uвх(t) ,iб(t) ,iк(t) ,Uвых(t) построим используя входные и выходные характеристики. Согласно варианту для расчётов будем использовать усилитель на базе схемы Г (класс усиления АВ).
b - коэффициент передачи тока ( берется из справочника ).
Для того, чтобы провести расчет динамического режима, необходимо преобразовать принципиальную схему усилителя .Заменим источник постоянного напряжения и конденсаторы С1,С2 (сопротивления конденсаторов выбирается таким образом ,чтобы их сопротивления на рабочей частоте были близки к 0 ) короткозамкнутой перемычкой.
Учитывая класс усиления и значение Евхmax , определим местоположение рабочей точки на входных характеристиках .Зная коэффициент передачи по току b и DIб , найдём место рабочей точки на выходных характеристиках . Получаем:
Строим нагрузочную прямую Iк=(Eп-Uэк)/(Rк+Rэ). а нагрузочной прямой возьмём две точки , составим систему уравнений и найдём значения сопротивлений Rк и Rэ.
Найдём сопротивления R1 и R2. Возьмём два контура Еп-R1-R2-Еп , Uэбрт-R2-Rэ-Uэбрт и решим составленную систему из двух уравнениё по второму закону Кирхгофа. Будем считать для упрощения расчётов Iд=10*Iб.
Определим выражения для осциллограмм токов и напряжений с помощью схемы замещения на переменном токе (рис.2) :
равно ег(t) ,так как они измеряются на тех же узлах.
График строим используя входную характеристику .Он получается несинусоидальный из-за нелинейных искажений.
График строим используя динамическую линию нагрузки .С её помощью мы учитываем влияние нагрузки.
Для нахождения тока через резистор R12 поделим входное напряжение на сопротивление R12 :
По первому закону Кирхгофа входной ток равен сумме токов и iR12 .
равно , так как они определяются в параллельных ветвях .
Выходной ток протекает по нагрузке и равен отношению выходного напряжения к сопротивлению нагрузки .
При помощи полученных осциллограмм рассчитаем значения Ku ,Ki ,Kp. Для этого возьмём меньшие по модулю амплитуды , чтобы получить гарантированные коэффициенты усиления.
Рассчитаем емкости конденсаторов ,таким образом чтобы их сопротивлениями на рабочей частоте можно было пренебречь. Для этого возьмем сопротивление конденсатора С1 в 20 раз меньшим , чем Rвх,С2=(Rн+Rвых)/20 , Сэ=Rэ/20. Rвых и Rвх найдём, взяв амплитуды осциллограмм Uвых, Iвых, Uвх, Iвх.
Рассчитаем номинальные напряжения конденсаторов ,учитывая переменные и постоянные составляющие напряжений .Так как у переменных составляющих амплитуды полуволн разные, находим напряжения для каждой полуволны отдельно.
Определим мощность рассеиваемую на резисторах Rк , Rэ , Rн, R1, R2 с учетом постоянной и переменной составляющих; для каждой полуволны переменной составляющей мощность находится отдельно.
Определим напряжения искажений типа "насыщения" и "отсечка". Конденсаторы заменяем на источники постоянного напряжения , так как напряжение на них с течением времени почти не изменяется. В режиме насыщения коллекторный и эмиттерный переходы открыты, поэтому можно считать сопротивление транзистора равным 0, а транзистор заменить короткозамкнутой перемычкой. В режиме отсечки коллекторный и эмиттерный переходы закрыты ,поэтому можно считать сопротивление транзистора равным бесконечности и транзистор заменить разрывом цепи. Составим систему уравнений для двух режимов и решим её относительно напряжения насыщения (Uнас) и напряжения отсечки (Uотс).
Для данного усилителя требуется резисторы ,с соответствующими мощностями :
конденсаторы, выдерживающие напряжения:
В данном задании мы использовали графоаналитический метод решения. Графоаналитический метод расчёта не требует сложного математического аппарата - это позволяет быстро производить расчёт ; у данного метода достаточная для практики точность - даёт возможность оценить значения параметров усилителя и вид осциллограмм токов и напряжений; удобен для работы с экспериментальными данными - можно легко определить изменения параметров по графикам. На этом положительные стороны метода заканчиваются. К отрицательным сторонам можно отнести следующие : решение имеет численный вид - нельзя проследить функциональную зависимость между параметрами цепи и видом осциллограмм токов и напряжений; не дает возможности учесть влияние реактивных элементов; нельзя исследовать переходные процессы; при незначительном усложнении схемы увеличивается объём вычислений. Из выше сказанного следует, что графоаналитический метод расчёта можно применять только для приближенных расчётов , где не требуется большая точность. Например: расчет точек покоя.
Задание 2. Аналитический расчёт элементов схемы усилителя переменного тока с общим эмиттером. Цель работы: расчёт режима покоя и динамического режима с использованием схем замещения. Порядок работы 1. Согласно варианту, предложенному преподавателем, из таблицы 2 выписать желаемые параметры усилителя (рис.2.1), параметры генератора и нагрузки;
Рис.2.1.
2. Вольтамперные характеристики транзистора и необходимые параметры следует взять из справочного пособия: Селиванов И.А., Карандаев А. С. и др. Параметры и характеристики биполярных транзисторов. Магнитогорск, 1996г.;
3. На принципиальной схеме усилителя обозначить положительные направления токов и напряжений с учетом разделения их на переменные и постоянные составляющие;
4. Выбрать положение рабочей точки, напряжение источника ЭДС (если оно не задано) и рассчитать сопротивления резисторов так, чтобы обеспечить требуемые параметры усиления и тепловой режим транзистора. Номинальные сопротивления резисторов следует брать из ряда Е96;
5. Рассчитать мощность, рассеиваемую на резисторах с учетом протекания постоянной и переменной составляющих. Выбрать их номинальную мощность из стандартного ряда;
6. Определить напряжения искажений типа «насыщение» и «отсечка»;
7. Рассчитать емкости конденсаторов так, чтобы на рабочей частоте их сопротивлениями можно было пренебречь. Рассчитать номинальное напряжение конденсаторов. Емкости конденсаторов должны быть из стандартного ряда;
8. Построить ЛАЧХ и ЛФЧХ для , , , ; 9. Исследовать влияние параметра, заданного в графе «параметр1» на величины , , , , в диапазоне средних частот. Построить графики этих величин в зависимости от заданного параметра, изменяя его в широких, но разумных пределах;
9. Исследовать влияние параметра, заданного в графе «параметр2» на ЛАЧХ и ЛФЧХ , , , , варьируя его в широких, но разумных пределах. Для этого нужно построить в одной системе координат ЛАЧХ и ЛФЧХ этих величин, при 4…5 значениях заданного параметра;
10. Составить перечень элементов на усилитель согласно правилам ЕСКД;
11. Для защиты курсового проекта приготовить плакат формата А1, на котором следует разместить принципиальную схему, ЛАЧХ и ЛФЧХ для и оформить угловой штамп; 12. Все действия по пунктам 2?9 следует словесно пояснять в тексте курсового проекта. Сделайте вывод о возможностях и целесообразности применения метода.
В данной работе будем использовать метод наложения. Этот метод заклюю-чается в том , что воздействие всех источников равно сумме воздействий от каждого источника в отдельности. 1. Принципиальную схему усилителя преобразуем с помощью замены тран-зистора линейной моделью. В эмиттерную и базовую ветви добавляем rэ,rб соответственно ;в коллекторную цепь добавляем управляемый источник тока (ток источника управляется током базы), параллельно к нему подклю-чаются rк -сопротивление коллекторного р-n перехода в закрытом состоянии и Ск - ёмкость коллекторного р-n перехода. 2. Определим сопротивление rб графоаналитическим методом, используя входные характеристики транзистора. Сопротивление Rк при предваритель- ном расчёте будем считать равным rвых , так как выходное сопротивление равно параллельному соединению Rк и rк, а сопротивление rк много больше сопротивления Rк. 3. Произведем приближённый расчет значения (Rэ1+rэ) на рабочей частоте. Будем считать значение rк достаточно большим и поэтому заменим его раз-рывом цепи. Для этого заменим конденсаторы разделительные С1, С2 и шунтирующий Сэ короткозамкнутой перемычкой, а конденсаторы Сн и Ск разрывом. Такие преобразования правомерны , так как ёмкость конденса-торов выбирается таким образом , чтобы на рабочей частоте сопротивления конденсаторов С1, С2, Сэ было очень маленьким по сравнению с последо-вательно соединёнными сопротивлениями и на них падение напряжения бы-ли минимальны , а значит и выделяемая мощность на конденсаторах стре-милась к нулю. Ёмкость конденсатора Ск зависит от технологии изготовле-ния транзистора и ограничивает рабочую частоту транзистора. Значение ёмкости конденсатора Сн выбирают так, чтобы ток на высоких частотах ток не попадал в нагрузку. 4. Выберем положение рабочей точки на входных характеристиках транзис-тора , чтобы сопротивление Rэ1 было на несколько порядков больше rэ, которое рассчитывается графоаналитическим методом . Выполнение данно-го условие позволит не учитывать rэ при расчётах на постоянном токе . 5. Определим значение источника постоянного напряжения , чтобы исклю-чить искажения типа "насыщение" , "отсечка". Конденсаторы на постоянном токе ведут себя как идеальные источники напряжения - напряжение почти не изменяется (напряжение уменьшается за счёт токов утечки , но они доста-точно малы , чтобы их учитывать). Поэтому конденсаторы С2, Сэ заменим источниками постоянного напряжения Ес2, Есэ. Используя схемы замещения при режимах насыщения, отсечки и холостом ходе на выходе усилителя, составим и решим систему из трёх уравнений относительно Еп, Ес2 , Есэ. 6. Построим нагрузочную прямую, найдём координаты рабочей точки на выходных характеристиках и рассчитаем значение rк графоаналитическим методом в районе местоположения рабочей точки. 7. Определим значения сопротивлений R1, R2. Для этого возьмём схему замещения на постоянном токе. 8. Повторим пункт №3 ,но расчёт будем производить по уточнённым формулам 9. Рассчитаем мощность, рассеиваемую на резисторах с учётом переменной и постоянной составляющих.Чтобы найти общую мощность, нужно сложить мощности от двух составляющих.Найдём значения ёмкостей конденсаторов так, чтобы их сопротивлениями на рабочей частоте можно было бы пренебречь. 10. Построим логарифмическую амплитудно-частотную и логарифмическую фазо-частотную характеристики (ЛАЧХ и ЛФЧХ) для коэффициентов пере-дачи по току и напряжению , входного и выходного сопротивления. Прове-дём исследование влияния двух параметров на ЛАЧХ и ЛФЧХ. Влияние "па-раметра 1" (rэ) будем производить на средних частотах, а влияние "парамет-ра 2" (С2) производить на всех частотах. Согласно варианту нам даны следующие желаемые параметры усилителя :
Найдём значения rб.
Найдем rэ+Rэ1 используя формулу коэффициента усиления напряжения (Ku) и схему замещения на переменном токе (рис3).
Так как нам дан коэффициента усиления тока (Ki) ,сначала найдём значение Ku.
Теперь найдём формулы для входного и выходного напряжений , а используя их – Ku.
Rнк - сопротивление параллельно включенных сопротивлений Rк и Rн.
Выразим из формулы Ku .
Выберем рабочую точку так ,чтобы выполнялось неравенство rэ‹‹ Rэ1 и найдём Rэ1.
Возьмем суммарное сопротивление эмиттерной ветви Rэs=Rэ1+Rэ2 равное 0,2*Rк.
Найдём значение источника постоянного напряжения Eп.
В режиме насыщения в ветвь эмиттера добавляем источник E=13,8 В , используем для расчета метод узловых потенциалов f0=0.Uнас - напряжение на нагрузке , когда транзистор работает в режиме насыщения (коллекторный и эмиттерный переход открыты - транзистор заменяем короткозамкнутой перемычкой).
В режиме отсечки транзистор закрыт и его сопротивление велико , поэтому транзи-стор можно заменить разрывом. Возьмём контур Rк-Ec2-Rн-Eп-Rк, Uотс – напряже-ние на нагрузке ,когда транзистор работает в режиме отсечки.
Третье уравнение найдем используя режим холостого хода (нагрузка отключается) .
На выходе получим:
Составим систему уравнений из трёх полученных уравнений.
Решим полученную систему с помощью матриц :
Возьмем Eп=15 и построим статическую линию нагрузки Iк=(Eп-Uкэ)/(Rк+Rэs) и линию ограничения мощности Pmax=Uкэ*Iк . На входных характеристиках находим Iбрт,Uбэрт,Iкрт,Uкэр .
Используя схему замещения на постоянном токе (рис.7) определим R1 , R2.
Составим и решим систему уравнений:
Найдем точное значение Rк. Воспользуемся теоремой о замещении источника тока эквивалентным источником напряжения. Для нахождения rвых составим и решим систему уравнений по второму закону Кирхгофа взяв два контура 6-7-3-4-6 и 7-6-5-7.
- коэффициент обратной связи.
Пересчитаем значения сопротивлений Rэ1,Rэ2 по уточненным формулам : gк -коэффициент токораспределения коллекторной цепи, находится как отношение R/(R+R") , где R=rк, R"=R78.
Рассчитаем мощность рассеиваемую на резисторах. Сначала найдём амплитуды переменных составляющих токов используя схему замещения по переменному току (рис.3) :
Мощность рассеиваемая на резисторах равна мощности обусловленной переменной и постоянной составляющими. Для переменной составляющей берем амплитуды токов , чтобы получить максимальное значение мощности.
Выберем мощности выделяемые на резисторах из стандартного ряда :
Найдем емкости конденсаторов, учитывая , что сопротивление конденсаторов на рабочей частоте должно быть много меньше , чем сопротивление последовательно соединенных с конденсатором резисторов.
Определим значения напряжений на конденсаторах с учётом постоянных и перемен-ных составляющих.
Построение ЛАЧХ и ЛФЧХ. Дано:
Построение ЛАЧХ для Ku(f). Для построения ЛАЧХ Ku(f) рассчитаем емкость коллектора Ск, зададим гранич-ную частоту транзистора и определим зависимость всех сопротивлений от частоты.
Расчет времени пролета носителей через базу.
Зависимость коэффициента передачи тока от частоты.
Получим выражение для Uвх(f) .Оно будет равно сумме напряжений на конденса-торе С1 и напряжения на зажимах 5,6. Соединение конденсатора С1 и сопротивле-ния R12IIZ56(f) представляет собой делитель напряжения. Подставив выражение для Uc1(f) и U56(f) в Uвх(f), получим выражение для Uвх(f).
Подставим формулы Uвых(f) и Uвх(f) найдём выражение для Ku(f):
ЛАЧХ Zвых(f) : используем формулы для средних частот , но в них добавляем сопротивления конденсаторов.
Исследуем влияние сопротивления rэ и ёмкости С2 на ЛАЧХ и ЛФЧХ Ku(f), Ki(f), Zвх(f), Zвых(f). Для этого построим в одной системе координат ЛАЧХ и ЛФЧХ при 4 значениях каждого параметра. Повторяем расчеты сделанные для построения ЛАЧХ и ЛФЧХ , но Ku, Ki, Zвых, Zвх будут зависеть ещё и от сопротивления rэ или ёмкости конденсатора С2. Исследование влияния ёмкости конденсатора С2:
Аналитический метод расчета более сложный по сравнению с графоаналитическим , но он устраняет главные недостатки графоаналитического метода. В нашем задании мы рассчитывали сначала по приближенным формулам и использовали линейную схему замещения транзистора , поэтому получить точные значения сопротивлений мы не можем . Данный расчёт получается приближенным. Построив логарифмичес-кие амплитудно-частотные и фазо - частотные характеристики , мы смогли исследо-вать влияние параметров усилителя на различные характеристики. В частности мы установили , что сопротивление rэ значительно влияет на коэффициент передачи по напряжению ,а ёмкость конденсатора на коэффициент передачи по току . Надо отметить , что ЛАЧХ и ЛФЧХ несут в себе много информации, зная вид и влияние различных элементов можно , изменяя параметры схемы можно получить желаемые ЛАЧХ и ЛФЧХ, с большой точностью определить частоты среза- это позволит нам снизить влияние каких-либо параметров на передаточные характеристики .
Задание 3. Анализ переходной и передаточной характеристик активного фильтра второго порядка. Цель работы : расчёт и графическое представление амплитудно-частотной и фазо-частотной характеристик фильтра и его реакция на единичное возмущение. Порядок работы 1. Согласно варианту, предложенному преподавателем, взять номер схемы фильтра и параметры его элементов из таблицы 3, а схему перерисовать из таблицы 4; 2. Рассчитать операторную функцию передачи фильтра, его амплитудно-частотную (АЧХ), фазо-частотную (ФЧХ) характеристики. Определить реакцию фильтра uвых(t) на единичное возмущение 1(t); 3. АЧХ, ФЧХ и uвых(t) представить графически; 4. Собрать схему в программе MicroCAP 7 и построить в ней АЧХ, ФЧХ и uвых(t); 5. Совместить в одной системе координат графики АЧХ, ФЧХ и uвых(t), полученные двумя способами и сравнить результаты; 6. Предложить возможные области применения данного фильтра и сделать выводы по работе.
Будем использовать метод узловых потенциалов для расчета передаточной характеристики фильтра. Этот метод заключается в том , что потенциал од-ного узла принимают равным 0, затем рассчитываются потенциалы других узлов. Зная потенциалы узлов можно найти напряжения и токи в ветвях . Операционный усилитель заменим управляемым источником напряжения (для простоты будем считать rвх равным бесконечности , а rвых - нулю). Построим логарифмические амплитудно-частотной и фазо-частотной характеристики фильтра . Найдём аналитическое выражение реакции фильтра на единичное возму-щение 1(t) и представим её в графическом виде. Зная реакцию на единичное возмущение можно легко определить реакцию на любое другое возмущение. Составим три уравнения по методу узловых потенциалов и одно уравнение для источника напряжения управляемого напряжением.
Выразим из первого уравнения f2, подставим f2 и f3 в четвёртое уравнение. Найдём отношение f4 к Евх - Ku(p) .
Найдем предел для Ku(p) , когда коэффициент усиления операционного усилителя стремится к бесконечности, чтобы определить выражение для максимального Ku(p).
Используя программу MicroCap7 , построим АЧХ и ФЧХ для Ku(f).
Как видно из построений АЧХ и ФЧХ Ku(f) полученные двумя способами (анали-тическое выражение и схема собранная в MicroCap7) полностью идентичны, поэтому можно сделать вывод о том , что наше решение правильное.
Найдем реакцию фильтра на единичное возмущение . Сделаем обратное преобразо-вание Лапласа для Ku с помощью теоремы о вычетах.
По виду логарифмической амплитудно - частотной характеристики можно сделать вывод ,что данный фильтр - полосной фильтр, дающий максима-льное усиление в диапазоне от 1КГц до 3 КГц , также этот усилитель можно использовать в качестве фазоинвертора , так как он меняет фазу входного сигнала на 180°. В данном проекте мы рассмотрели два метода расчёта электронных цепей : графоаналитический и аналитический .Графоаналитический метод не тре-бует сложных вычислений ,но не обладает большой точностью и не даёт возможность исследовать влияние реактивных элементов. Аналитический метод расчёта устраняет недостатки графоаналитического метода , но тре-бует более сложный математический аппарат. Также мы познакомились с двумя видами усилителей : на основе транзисторов и операционных усили-телей. Сложные схемы в настоящем времени стараются выполнять на опе-рационных усилителях ,так как режим по постоянному току делается произ-водителем - это облегчает расчёты, которые требуются только для опреде-ления параметров навесных элементов для обеспечения желаемых пара-метров устройства.
Литература : 1. Прянишников В.А. ”Теоретические основы электротехники : курс лекций”.-Спб.: КОРОНА принт , 2000 год. 2. Селиванов И.А.,Карандаев А.С.и др. “Параметры и характеристики биполярных транзисторов”. Магнитогорск, 1996 год. 3. Гусев В.Г. ,Гусев Ю.М. “Электроника : учебное пособие для приборостроитель- ных специальностей.”-2-е издание, перераб. и доп. –М.: Высшая школа 1991 год. 4. Степаненко И.П. “Основы теории транзисторов и транзисторных схем”. Изд. 4-е, перераб. и доп. –М.:Энергия, 1977 год. 5. Андреев В.А. , Войшвилло Г.В. , Головин О.В. и др. ”Учебное пособие для ВУЗов”. –М.:Радио и связь, 1993 год. 6. Усатенко С.Т. , Каченюк Т.К. , Терехова М.В. “Выполнение электрических схем по ЕСКД” : справочник. -2-е изд.,перераб. и доп. -.:М: Издательство стандартов, 1992 год.
