Здесь можно найти учебные материалы, которые помогут вам в написании курсовых работ, дипломов, контрольных работ и рефератов. Так же вы мажете самостоятельно повысить уникальность своей работы для прохождения проверки на плагиат всего за несколько минут.
Предлагаем нашим посетителям воспользоваться бесплатным программным обеспечением «StudentHelp», которое позволит вам всего за несколько минут, выполнить повышение оригинальности любого файла в формате MS Word. После такого повышения оригинальности, ваша работа легко пройдете проверку в системах антиплагиат вуз, antiplagiat.ru, РУКОНТЕКСТ, etxt.ru. Программа «StudentHelp» работает по уникальной технологии так, что на внешний вид, файл с повышенной оригинальностью не отличается от исходного.
Работа № 128302
Наименование:
Лабораторка ИССЛЕДОВАНИЕ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА Вариант № 5
Информация:
Тип работы: Лабораторка.
Предмет: Электроника.
Добавлен: 14.12.2021.
Год: 2021.
Страниц: 4.
Уникальность по antiplagiat.ru: < 30%
Описание (план):
Министерство цифрового развития связи и массовых коммуникаций Российской Федерации. Ордена Трудового Красного Знамени федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский технический университет связи и информатики"
Кафедра электроники
Отчет по лабораторной работе № 5 “ИССЛЕДОВАНИЕ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА” по дисциплине "Электроника"
Вариант № 5
Выполнил: студент гр. БИН2001
Москва, 2021 г. Цель работы Ознакомление с физическими принципами функционирования биполярного транзистора (БТ), с особенностями его изготовления и взаимосвязью конструкции, размеров и параметров.
Ход работы
Рисунок 1 - биполярный транзистор ?=I_Эn/(I_Эn+I_Эp )=N_Э/(N_Э+N_Б ), где IЭn – полезный ток инжекции; IЭр – бесполезный встречный дырочный ток; NЭ и NБ – концентрация примесей в базе и эмиттере; ? - коэффициент инжекции. ?=I_К/I_Эn , Где Iк – ток выхода, ? - коэффициент переноса ???=I_Эn/I_Э I_К/I_Эn =I_К/I_Э =? ? =?/(1-?), где ? - коэффициент передачи тока ОБ, ? - коэффициент передачи тока ОЭ f_??1/(2??_ПР ), ?_ПР=w^2/(2D_Б (?+1)), Где w – толщина базы, ?ПР – среднее врем пролёта, f? - предельная частота в схеме ОБ, ? - коэффициент неоднородности базы, DБ – коэффициент диффузии в базе
Таблица 1 - Исходные данные №. вар. Концентрация примесей в эмиттере NЭ, см-3 Концентрация примесей в базе NБ, см-3 Толщина базы, w, мкм Коэффициент неоднородности базы, ? 5 5·1019 5·1017 0,4 ,75
Таблица 2 - Результаты Вариант Измененный параметр Коэф. инжекции ? Коэф. переноса
Коэф. передачи тока ОБ, ? Коэф. передачи тока ОЭ, ? Среднее время пролёта ?ПР, нс Предельная частота в схеме ОБ ,МГцИсходный (табл. 1) - 0,99973 0,97173 0 97147 34,06 80,8 1, 9695 Однородная база ? = 0 (диффузион-ный БТ) ?=1,75 > ?=0 0,99903 0,92593 0, 2503 12,35 222,2 0,716 Повышенная концентрация примесей в эмиттере NЭ, см-3 Nэ=5·1019 > Nэ=5·1020 0,9997 0,971 3 0,9717 34,34 80,8 ,9695 Повышенная концентрация примесей в базе NБ ,см-3 NБ=5·1017 > NБ=5·1019 0,97401 0, 7173 0,94647 17,9297 80,8 1,9695 Увеличенная толщина базы w, мкм w=0,4 > w=0,6 0,99959 0,93856 ,93819 15,184 181,81 0,8753
Вывод: При однородной базе (? = 0) в разы уменьшается коэффициент передачи тока ОЭ ? и предельная частота в схеме ОБ ?; увеличивается среднее время пролёта ?ПР,; коэффициент инжекции ?, коэффициент переноса , коэффициент передачи тока ОБ уменьшаются.
При повышенной концентрации примесей в эмиттере Nэ увеличивается коэффициент передачи тока ОЭ ?, коэффициент передачи тока ОБ ? и коэффициент инжекции ?; остальные параметры остаются без изменений...
* Примечание. Уникальность работы указана на дату публикации, текущее значение может отличаться от указанного.
