Здесь можно найти учебные материалы, которые помогут вам в написании курсовых работ, дипломов, контрольных работ и рефератов. Так же вы мажете самостоятельно повысить уникальность своей работы для прохождения проверки на плагиат всего за несколько минут.
Предлагаем нашим посетителям воспользоваться бесплатным программным обеспечением «StudentHelp», которое позволит вам всего за несколько минут, выполнить повышение оригинальности любого файла в формате MS Word. После такого повышения оригинальности, ваша работа легко пройдете проверку в системах антиплагиат вуз, antiplagiat.ru, РУКОНТЕКСТ, etxt.ru. Программа «StudentHelp» работает по уникальной технологии так, что на внешний вид, файл с повышенной оригинальностью не отличается от исходного.
Работа № 128301
Наименование:
ЛАБОРАТОРКА ИССЛЕДОВАНИЕ МЕТАЛЛО-ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЕРЕХОДОВ Вариант 7
Информация:
Тип работы: ЛАБОРАТОРКА.
Предмет: Электроника.
Добавлен: 14.12.2021.
Год: 2021.
Страниц: 5.
Уникальность по antiplagiat.ru: < 30%
Описание (план):
Федеральное агентство связи Ордена Трудового Красного Знамени федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Московский технический университет связи и информатики»
Кафедра электроники
ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА №2 ИССЛЕДОВАНИЕ МЕТАЛЛО-ПОЛУПРОВОДНИК ВЫХ ПЕРЕХОДОВ Вариант 7
Выполнил: студент гр. БИН2001
Целью работы является исследование металло-полупроводник вых переходов при использовании различных сочетаний металла и полупроводника. Металло-полупроводник вые переходы при qjм < qjп
В настоящей работе металло-полупроводник вый переход полагается идеальным, описывающимся уравнением jк0 = jm – jп
Если контакт омический, т.е. предназначен для подключения к полупроводниковой области, его наиболее важным параметром является сопротивление R. У такого контакта сопротивление практически не зависит от сопротивления m-области и обогащенного слоя. Поэтому R омического контакта определяется размерами и параметрами нейтральной части полупроводника: L R = –––, mqSN
где L и S – толщина и площадь поперечного сечения нейтрального слоя, m и N – коэффициент подвижности и концентрация примеси в полупроводниковой области.
В случае контакта Шотки, когда используются его нелинейные свойства, важнейшими параметрами являются: 1. Контактная разность потенциалов в отсутствие внешнего напряжения jк0, (1). Её величина примерно соответствует значению прямого напряжения Uпр, при котором собственное поле перехода и обедненный слой практически исчезают и возникает большой прямой ток. Uпр определяет тепловые потери Pрасс = Uпр ? Iпр и к.п.д. выпрямителей с диодами Шотки. По этим параметрам они значительно превосходят кремниевые р-n диоды. 2. Тепловой ток I0, определяющий масштаб идеализированной ВАХ:
I = I0(eU/jT – 1) , (3)
I0 = S?A?T2?e-jk0/jT , (4)
где А – константа, зависящая от типа полупроводника, Т – абсолютная температура, jT = kT/q – термический потенциал...
Было выявлено: уменьшение сопротивления R при увеличении концентрации примеси N, площади поперечного сечения S и уменьшении толщины п/п слоя L; увеличение толщины перехода L0 при уменьшении концентрации примеси N; уменьшение барьерной ёмкости Cб0 при уменьшении концентрации примеси N и площади поперечного сечения S.
* Примечание. Уникальность работы указана на дату публикации, текущее значение может отличаться от указанного.
