Здесь можно найти учебные материалы, которые помогут вам в написании курсовых работ, дипломов, контрольных работ и рефератов. Так же вы мажете самостоятельно повысить уникальность своей работы для прохождения проверки на плагиат всего за несколько минут.
Предлагаем нашим посетителям воспользоваться бесплатным программным обеспечением «StudentHelp», которое позволит вам всего за несколько минут, выполнить повышение оригинальности любого файла в формате MS Word. После такого повышения оригинальности, ваша работа легко пройдете проверку в системах антиплагиат вуз, antiplagiat.ru, РУКОНТЕКСТ, etxt.ru. Программа «StudentHelp» работает по уникальной технологии так, что на внешний вид, файл с повышенной оригинальностью не отличается от исходного.
Работа № 131903
Наименование:
Лабораторка Исследование полупроводниковых диодов D223A и КD522A
Информация:
Тип работы: Лабораторка.
Предмет: Электроника.
Добавлен: 07.02.2023.
Год: 2021.
Страниц: 19.
Уникальность по antiplagiat.ru: < 30%
Описание (план):
Содержание 1.Цель работы………...3 2. Краткие теоретические сведения по лабораторной работе.………...….…...4 3. Принципиальная схема для снятия прямой ветви вольтамперной характеристик полупроводникового диода...…...5 4. Снятие прямой ветви вольтамперной характеристик полупроводникового диода...…...6 5. Принципиальная схема для снятия обратной ветви вольтамперной характеристики полупроводникового диода.……...14 6. Снятие обратной ветви вольтамперной характеристики полупроводникового диода...………...14 7. Принципиальная схема для исследование частотных свойств полупроводниковых диодов...16 8. Исследование частотных свойств полупроводниковых диодов...16 9. Вывод...20
Цель работы: изучение свойств диодов. В работе снимается вольтамперные характеристики и определяются параметры диодов в широком диапазоне частот.
Краткие теоретические сведения по лабораторной работе.
Работа полупроводниковых диодов основана на свойствах p-n перехода, который образуется на границе раздела областей полупроводника с дырочной и электронной проводимостью. Наличие контактной разности потенциалов в p-n переходе при отсутствии внешнего поля препятствует диффузионному движению основных и содействует дрейфу неосновных носителей через электронно - дырочный переход. В результате устанавливается динамическое равновесие, при котором ток, создаваемый за счет диффузионного движения, уравновешивается дрейфовым током. Результирующий ток через переход в равновесном состоянии равен нулю. Подведение напряжения от внешнего источника к электронно - дырочному переходу изменяет поле перехода. Если внешнее напряжение включено согласно с контактной разностью потенциалов, то потенциальный барьер возрастает, диффузионное движение основных носителей прекращается. Неосновные же носители будут проходить через электронно - дырочный переход беспрепятственно, создавая обратный ток перехода. При встречном включении внешнего напряжения потенциальный барьер уменьшается, вследствие чего диффузионное движение основных носителей увеличивается и через p-n переход протекает прямой ток. Существует две разновидности полупроводниковых диодов: плоскостные и точечные. Первые обладают значительной площадью p-n перехода и применяются для выпрямления больших токов при сравнительно низких частотах. Вторые имеют очень малую площадь перехода и используются для выпрямления малых токов в широком диапазоне частот.
Принципиальная схема для снятия прямой ветви вольтамперной характеристик полупроводникового диода.
Рисунок 1
Снятие прямой ветви вольтамперной характеристик полупроводникового диода. Таблица 1 (при t=-60) Тип диода: D223A Е, В 0 0.5 1 1.5 2 2.5 3.5 4 I, мА 0 0,0222 1,577 3,877 ,270 8,697 11,14 13.6 16.06 U,В 0 4,428 мВ 315,4 мВ 775,4 мВ 1,254 1,739 2,228 2.719 3.212 Е, В 4.5 5 5.5 6 6.5 7 .5 8 8.5 I, мА 19.53 21.0 23.48 5.95 28.43 30.91 33.3 35.88 38.36 U,В 3.706 4.2 4.695 .19 5.686 6.182 6.67 7.175 7.672 Е, В 9 9.5 10 10,5 11 11, 12 12,5 13 I, мА 40.85 43.33 45,82 8,31 50,8 53,28 55,77 8,26 60,75 U,В 8.17 8.667 9,164 ,662 10,16 10,66 11,15 1,65 12,15 Е, В 13,5 14 14,5 15 15 5 16 16,5 17 17,5 I, мА 63,23 65,74 68,23 70,72 73,21 75,7 78, 9 80,69 83,18 U,В 12,65 13,15 13,6 14,14 14,64 15,14 1 ,64 16,14 16,64 Е, В 18 18,5 19 19,5 20 20,5 20,88 I, мА 85,67 88,16 90,66 9 ,14 95,65 98,14 100 U,В 17,14 17,63 18,1 18,63 19,13 19,63 2 ,01
Вольтамперная характеристика
Рисунок 2
r_пр=(?U_пр)/(?I_пр )=20.01/0.1=200.1 Ом
Таблица 2 (при t=0)
Тип диода: D223A...
Вывод
В данной лабораторной работе я изучил свойства диода, при четырех его температурных состояниях. Снял прямые вольтамперные характеристики, где наблюдал увеличение силы тока и конечного напряжения с увеличением напряжения на батарее. Снял обратную вольтамперную характеристику, где наблюдал, что при увеличении напряжения на батерее сила тока не меняется, как и конечное напряжение. В каждом опыте определил дифференциальное сопротивление диода. Определил параметры диодов (D223A, КD522A ) в широком диапазоне частот.
* Примечание. Уникальность работы указана на дату публикации, текущее значение может отличаться от указанного.
