Здесь можно найти учебные материалы, которые помогут вам в написании курсовых работ, дипломов, контрольных работ и рефератов. Так же вы мажете самостоятельно повысить уникальность своей работы для прохождения проверки на плагиат всего за несколько минут.
Предлагаем нашим посетителям воспользоваться бесплатным программным обеспечением «StudentHelp», которое позволит вам всего за несколько минут, выполнить повышение оригинальности любого файла в формате MS Word. После такого повышения оригинальности, ваша работа легко пройдете проверку в системах антиплагиат вуз, antiplagiat.ru, РУКОНТЕКСТ, etxt.ru. Программа «StudentHelp» работает по уникальной технологии так, что на внешний вид, файл с повышенной оригинальностью не отличается от исходного.
Результат поиска
Наименование:
Контрольная РГР по электронике. Вариант 17. Физические основы образования электронно-дырочного перехода.
Информация:
Тип работы: Контрольная.
Предмет: Электроника.
Добавлен: 10.01.2022.
Год: 2021.
Страниц: 26.
Уникальность по antiplagiat.ru: < 30%
Описание (план):
Содержание Физические основы образования электронно-дырочного перехода. Симметричные и несимметричные p-n-переходы. Режимы работы биполярного транзистора. Изобразить и объяснить вид передаточных и выходных характеристик полевых транзисторов с p-n переходом Влияние температуры на работу тиристора. Оптический канал оптрона: назначение, виды, требования, параметры. Задача Дать характеристику диода. Диод Д206
6. Физические основы образования электронно-дырочного перехода. Симметричные и несимметричные p-n-переходы.
Ответ. Образование электронно - дырочного перехода В большинстве полупроводниковых приборов исполь¬зуются кристаллы комбинированного полупроводника с двумя и более слоями (зонами), образованными примесными полупроводниками с различным типом проводимости, т. е. полупроводниками р и n - типа. Область комбинированного полупроводника, расположенная вблизи ме¬таллургической границы, разделяющей полупровод¬ник на две части с разнотипной проводимостью ( p и n - зоны), называется электронно - дырочным переходом или р – п - переходом. Электронно-дырочный переход (рис. 7) обычно получают вплавлением или диффузией соответствую¬щих примесей в пластинку монокристалла чистого полупроводника. Электронно-дырочный переход представляет собой очень тонкий (не более де¬сятых долей микрометра) слой, разделяющий р и n – полупроводники (р и n – зоны) и в отличие от примесных или чистых полупроводников обладающий свойством односторонней проводимости, на использовании которой основана работа полупроводниковых приборов. Образование электронно-дырочного перехода обусловлено различием концентраций подвижных носителей заряда в электронной и дырочной областях (зонах) комбинированного р - n – полупроводника. В отсутствие внешнего электрического поля в зоне контакта полупроводников р и n – типа из-за разности концентраций подвижных носителей заряда в р и n - зонах происходит процесс диффузии основных носителей электрических заряда из зоны с повышенной концентрацией носителей в зону с по¬ниженной концентрацией носителей заряда (диффузионный ток I ДИФ), т. е. дырки, концентрация которых повышена в полупроводнике р – типа, диффундируют в n - зону, а электроны, концентрация которых повышена в полупроводнике n – типа - диффундиру¬ют в р – зону. При встречном движении положительных (дырок) и отрицательных (электронов) носителей зарядов они взаимно нейтрализуются (рекомбинируют) и вблизи границы раздела полупроводников р и n – типа возникает область, обеднённая подвижными основными носителями заряда и обладающая высоким электрическим сопротивлением (запирающий слой).
Рисунок. 1. Структура электронно-дырочного перехода
Если бы электроны и дырки были нейтральными, то в процессе диффузии произошло бы в конечном итоге полное выравниванию их концентраций по всему объ¬ему кристалла. Однако в действительности этого не происходит, поскольку диффузионный ток через р и n - пере¬ход приводит к нарушению баланса положительных и отрица¬тельных зарядов и возникновению в запирающем слое электрического поля, препятствующего диффузии носителей зарядов. Уход электронов из n - зоны полупроводника приводит к тому, что их концентрация вблизи р и n - пере¬хода уменьшается и здесь возникает не скомпенсированный положительный заряд неподвижных ионов донорной примеси. В другой части полупроводника - в р – зоне - вследствие ухода дырок их концентрация вблизи р и n - пере¬хода снижается и здесь возникает не скомпенсированный отрицательный заряд неподвижных ионов кристаллической решётки. Таким образом, в результате диффузии носителей заряда в запираю-щем слое нарушается баланс положительных и отрица¬тельных зарядов и на границе раздела полупроводников р и n – типа возникают два слоя противоположных по знаку зарядов, образованных неподвижными ионами кристаллической решётки: отрицательными в р - зоне, в положительными в n – зоне, т. е. возникает так называемый двойной электрический слой. Этот двойной электрический слой (контактная разность потенциалов), образованный пространственными зарядами ионов кристаллической решётки, создает внутри запирающего слоя электри-ческое поле напряженностью E ПЕР ( поле перехода или потенциальный барьер), направленное от n - зоны полупроводника к р – зоне, т. е. направленное навстречу диффузионному току. Под действием поля перехода возникает встречное движение неосновных носителей заряда через р – п - переход – дырок из n-зоны и электронов – из р-зоны, т. е. возникает так называемый дрейфовый ток I ДР , направленный навстречу диф¬фузионному току. Разделение носителей заряда на диффундирующие и дрейфующие довольно условно, т.к. в действительности каждый носитель заряда в запирающем слое находится в движении под одновременным действием сил диффузии и внутреннего электрического поля перехода. Через некоторое время дрейфовый ток полностью компенсирует диффузионный и в области р – п - перехода наступает динамическое равновесие, когда результирующий ток через переход равен нулю I = I ДИФ - I ДР = 0. Такой режим соответствует равновесному со¬стоянию р – п - перехода при отсутствии внешнего электри¬ческого поля.
Классификация электронно-дырочных переходов (ЭДП) По методу формирования: 1. метод вплавления – сплавной ЭДП; 2. метод диффузии – диффузионный ЭДП: - планарный р-п-переход; - конверсионный р-п-переход; - эпитаксиальный р-п-переход. 3. метод ионной имплантации. По характеру распределения примесей: 1. резкий р-п-переход (сплавной); 2. плавный р-п-переход (диффузионный). По соотношению концентраций основных носителей заряда в р- и п- областях: 1. симметричные; 2. несимметричные. ... Список литературы
1.ГОСТ 15133-77. Приборы полупроводниковые. Термины и определения.- М.: Изд-во стандартов, 1989. 2.Абдуллаев А.М. Микроволновые полупроводниковые приборы: Конспект лекций./ Абдуллаев А.М., Арипов Х.К., Афанасьева А.М., Кузьмина Г.Н. – Ташкент: ТУИТ, 2003 3.Булычев, А.Л. Электронные приборы: учебное пособие / А.Л.Булычев, П.М.Лямин, Е.С.Тулинов. - Саратов: Профобразование, 2017. 4. Водовозов, А.М. Основы электроники: учебное пособие / А.М.Водовозов. - Вологда: Инфра-Инженерия, 2016. 5. Гальперин, М.В. Электронная техника: учебник для студ. уч-режд. СПО / М.В.Гальперин. - М.: ФОРУМ: ИНФРА-М, 2017. 6. Дробот, С. В. Электронные приборы и устройства. Практикум : учеб. пособие / С. В. Дробот, В. А. Мельников, В. Н. Путилин. – Минск : БГУИР, 2009. – 256 с. : ил. 7. О.А. Изумрудов, Е.К. Райская. Твердотельная электроника. Конспект лекций/ О.А. Изумрудов, Е.К. Райская. = СПб: Изд-во СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 2017. 8. Нойкин Ю.М. Полупроводниковые приборы СВЧ: Учеб. пособие./ Нойкин Ю.М., Нойкина Т.К., Усаев А.А. – Ростов-на-Дону: Изд-во ЮФУ, 2014. 9. Расчёт параметров активных элементов электронной техники: Методические указания по курсовому проектированию / Сост.: И.И. Зятьков, О.А. Изумрудов, Л.А. Марасина. СПБ.: Изд-во СПбГЭТУ «ЛЭ-ТИ», 2006. 10. Ситников, А.В. Прикладная электроника: учебник для студ. учрежд. СПО / А.В.Ситников, И.А.Ситников. — М.: КУРС: ИНФРА-М, 2017. 11.Ткаченко, Ф.А. Электронные приборы и устройства: учебник / Ф.А.Ткаченко. - М.: ИНФРА-М: Нов. Знание, 2017. 12. Пасынков В.В. Полупроводниковые приборы./ Пасынков В.В., Чиркин Л.К. - М.: Лань, 2003. 13. Петров К.С. Радиоматериалы, радиокомпоненты и электроника: Учеб. пособие. К.С.Петров – СПб.: Питер, 2006. 14. Прянишников В.А. Электроника: Курс лекций. /В.А.Прянишников – СПб.: Корона принт, 2000. 15. Протасов Ю.С. Твердотельная электроника. / Протасов Ю.С., Чу-вашев С.Н. – М.: Изд-во МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2003. 16. Чиркин Л.К. Физические основы микроэлектроники: Учеб. посо-бие./ Чиркин Л.К., Андреев А.П., Ганенков Н.А. – СПб.: Изд-во СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 2001. 17. Чиркин Л.К., Андреев А.П., Ганенков Н.А. Физика полупроводниковых приборов и основы микроэлектроники: Учеб. пособие./ Чиркин Л.К., Андреев А.П., Ганенков Н.А. – СПб.: Изд-во СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 1999.
