Здесь можно найти учебные материалы, которые помогут вам в написании курсовых работ, дипломов, контрольных работ и рефератов. Так же вы мажете самостоятельно повысить уникальность своей работы для прохождения проверки на плагиат всего за несколько минут.
Предлагаем нашим посетителям воспользоваться бесплатным программным обеспечением «StudentHelp», которое позволит вам всего за несколько минут, выполнить повышение оригинальности любого файла в формате MS Word. После такого повышения оригинальности, ваша работа легко пройдете проверку в системах антиплагиат вуз, antiplagiat.ru, РУКОНТЕКСТ, etxt.ru. Программа «StudentHelp» работает по уникальной технологии так, что на внешний вид, файл с повышенной оригинальностью не отличается от исходного.
Результат поиска
Наименование:
Реферат Тема: IGBT-транзисторДата изготовления: январь 2020 года. Учебное заведение: Неизвестно.
Информация:
Тип работы: Реферат.
Предмет: Электроника.
Добавлен: 19.10.2023.
Год: 2020.
Страниц: 15.
Уникальность по antiplagiat.ru: 83. *
Описание (план):
Введение 3 1 Понятие и основные параметры IGBT-транзисторов 4 2 Устройство и сфера применения 8 Заключение 14 Список использованных источников 16
В современной силовой электронике широкое распространение получили так называемые транзисторы IGBT. Данная аббревиатура заимствована из зарубежной терминологии и расшифровывается как Insulated Gate Bipolar Transistor, а на русский манер звучит как биполярный транзистор с изолированным затвором. Поэтому IGBT транзисторы ещё называют БТИЗ. БТИЗ представляет собой электронный силовой прибор, который используется в качестве мощного электронного ключа, устанавливаемого в импульсные источники питания, инверторы, а также системы управления электроприводами. Целью данной работы является анализ назначения и устройства IGBT-транзистора. Для достижения поставленной цели необходимо решить следующие задачи: ? рассмотреть понятие и основные параметры IGBT-транзисторов; ? проанализировать устройство и сферу применения IGBT-транзисторов. Объектом работы выступает IGBT-транзистор. Предметом - его устройство и область применения. Теоретической базой написания работы послужили труды таких авторов, как Ю.К. Розанов, А. Бормотов, А.Ю. Болдырев и др., а также источники сети Интернет. В работе использовались методы теоретического анализа литературы по исследуемой проблеме, методы изучения, обобщения и анализа. Структура работы состоит из введения, двух глав, заключения и списка использованных источников.
1 Понятие и основные параметры IGBT-транзисторов
Исторически биполярные транзисторы использовались наравне с тиристорами в качестве силовых электронных ключей до 90-х годов. Но недостатки биполярных транзисторов были всегда очевидны: большой ток базы, медленное запирание и от этого перегрев кристалла, сильная зависимость основных параметров от температуры, ограниченное напряжение насыщения коллектор-эмиттер ... 1. Биполярные транзисторы с изолированным затвором IGBT [Электронный ресурс]. – URL: publ/spravochniki/bip ljarnye_tranzistory_ _izolirovannym_zatvor m_igbt/2-1-0-306 (дата обращения: 25.11.2019). 2. Болдырев А.Ю. Рекомендации по применению IGBT производства Протон-электротекс / А.Ю. Болдырев. – 2017. – 24 с. 3. Бормотов А. Некоторые вопросы эксплуатации IGBT-модулей / А. Бормотов, В. Мартыненко // Компоненты и технологии. – 2015. – №5. – С. 116-120. 4. Розанов, Ю. К. Силовая электроника: учебник и практикум для академического бакалавриата / Ю. К. Розанов, М. Г. Лепанов; под редакцией Ю. К. Розанова. – М.: Издательство Юрайт, 2019. – 206 с. 5. Транзисторы IGBT – основные компоненты современной силовой электроники [Электронный ресурс]. – URL: main/praktika/1589-ig t-tranzistory-osnovn e-komponenty-silovoy elektroniki.html (дата обращения: 25.11.2019). 6. Энциклопедия устройств на полевых транзисторах / В. П. Дьяконов, А. А. Максимчук, А.М. Ремнев, В.Ю. Смердов. – М.: СОЛОН-ПРЕСС, 2017. – 513 c.
